CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Temperature and Surface Traps Influence on the THz Emission from InGaAs Diodes

A. Rodriguez-Fernandez ; I. Íñiguez-de-la-Torre ; Ó García-Pérez ; S. García ; Andreas Westlund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; T. González ; J. Mateos ; S. Pérez
Journal of Physics, Conference Series (1742-6588). Vol. 647 (2015), 1,
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Monte Carlo simulations forecast Gunn-like oscillations at ∼0.75-1.25 THz in InGaAs planar recessed diodes (slot diodes); however, up to date no experimental evidence of this effect has been observed. The effects of temperature and surface charges on the emission parameters from InGaAs diodes are analyzed by means of an ensemble Monte Carlo simulator. Cooling the device down to 77 K strongly improves the amplitude of the oscillations and can increase their frequency. On the other hand, the ratio between cap and recess charges plays an important role for the onset of oscillations. A high level of traps in the recess region may completely attenuate the emission.


19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19)



Denna post skapades 2016-01-15. Senast ändrad 2016-09-16.
CPL Pubid: 230757

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur