CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Heterogeneous Integration of Terahertz Diode Circuits

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Peter Sobis ; Jan Stake (GigaHertz Centrum ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
2015 Asia-Pacific Microwave Conference Vol. 1 (2015),
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present an overview of the research made on integrated diode circuits for terahertz applications. This includes progress on heterogeneous integration of heterostructure barrier varactor multipliers and Schottky diode mixers on silicon substrate. The described technology uses silicon-on-insulator (SOI) substrates, for which accurate and well defined substrate thickness for the microstrip circuitry is obtained.

Nyckelord: Epitaxial transfer, heterostructure barrier varactors (HBVs), integrated circuits, submillimeter wave, Schottky diodes, wafer bonding.


6-9 Dec. 2015, Nanjing, China.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2015-12-28. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 229157

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)