CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Silicon-integrated short-wavelength hybrid-cavity VCSEL

Emanuel P. Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Sulakshna Kumari ; Petter Westbergh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Gunther Roelkens ; Roel Baets ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Optics Express (1094-4087). Vol. 23 (2015), 26, p. 33634-33640.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We demonstrate a short-wavelength hybrid-cavity vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) heterogeneously integrated on silicon. A GaAs-based “half-VCSEL” has been attached to a dielectric distributed Bragg reflector (DBR) on a silicon wafer using ultra-thin divinylsiloxane-bis-benzocyclobutene (DVS-BCB) adhesive bonding, thereby creating a cavity with the standing-wave optical field extending over the silicon- and GaAs-based parts of the cavity. A 9 µm oxide aperture diameter VCSEL with a threshold current of 1.2 mA produces 1.6 mW optical output power at 6.0 mA bias current with a wavelength of ~845 nm.

Nyckelord: Photonic integrated circuits, semiconductor lasers, vertical cavity surface emitting lasers

Denna post skapades 2015-12-21. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 228892


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)