CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A highly linear double balanced Schottky diode S-band mixer

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Microwave and Wireless Components Letters (1531-1309). Vol. 16 (2006), 6, p. 336 - 8.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A high-level double balanced SiC Schottky diode mixer in SiC monolithic microwave integrated circuit (MMIC) technology has been designed, processed and characterized. The mixer is a single ended in- and output circuit with coupled transformers as baluns to enable a compact design, resulting in a total area of 2.2×2.2mm2. The mixer has a maximum IIP3 of 38dBm and IIP2 of 58dBm at 3.3GHz, and a typical P1 dB of 23dBm in the S-band. The minimum conversion loss was 12dBm at 2.4GHz. The high power operation of the mixer shows that SiC MMIC can perform well in high microwave radiation environments



Denna post skapades 2007-01-08. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 22782

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Wide Bandgap MMIC Technology