CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A MMIC GaN HEMT Voltage-Controlled-Oscillator with high tuning linearity and low phase noise

Thi Do Thanh Ngoc (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mikael Hörberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2015 IEEE ; 37th IEEE International Symposium on Workload Characterization, IISWC 2015; New Orleans; United States; 11 October 2015 through 14 October 2015 (2162-7940). Article number 7314478, (2015)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper presents a MMIC GaN HEMT Voltage- Controlled-Oscillator (VCO). The VCO is tunable between 6.45-7.55 GHz with good tuning linearity, average output power about 1 dBm, and a good phase noise with little variation over the tuning range. For a bias of Vd /Id = 6 V/33 mA, the measured phase noise is -98 dBc/Hz @ 100 kHz and -132 dBc/Hz @ 1 MHz offset frequencies, respectively. To the author's best knowledge, this is the lowest phase noise reported for a VCO in GaN HEMT technology with comparable oscillation frequency and tuning range. The 1 MHz offset phase noise is also comparable to state-of-the-art GaAs-InGaP HBT VCOs with similar tuning range.

Nyckelord: Voltage-Controlled-Oscillator, MMIC, GaN, HEMT, phase noise



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2015-11-27. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 226466

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)