CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Reversible metal-insulator transition of Ar-irradiated LaAlO3/SrTiO3 interfaces

Pier Paolo Aurino (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Alexei Kalaboukhov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Nikolina Tuzla (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group ) ; A. Klein ; Paul Erhart (Institutionen för teknisk fysik, Material- och ytteori) ; Y. A. Boikov ; I. T. Serenkov ; V. I. Sakharov ; Tord Claeson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Dag Winkler (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics (1098-0121). Vol. 92 (2015), 15,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The conducting state of a quasi-two-dimensional electron gas (q2DEG), formed at the heterointerface between the two wide-bandgap insulators LaAlO3 (LAO) and SrTiO3, can be made completely insulating by low-energy, 150-eV, Ar+ irradiation. The metallic behavior of the interface can be recovered by high-temperature oxygen annealing. The electrical transport properties of the recovered q2DEG are exactly the same as before the irradiation. Microstructural investigations confirm that the transition is not due to physical etching or crystal lattice distortion of the LAO film below its critical thickness. They also reveal a correlation between electrical state, LAO film surface amorphization, and argon ion implantation. The experimental results are in agreement with density functional theory calculations of Ar implantation and migration in the LAO film. This suggests that the metal-insulator transition may be caused by charge trapping in the defect amorphous layer created during the ion irradiation.



Denna post skapades 2015-11-24. Senast ändrad 2016-06-20.
CPL Pubid: 226217

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Institutionen för teknisk fysik, Eva Olsson Group (2012-2015)
Institutionen för teknisk fysik, Material- och ytteori (1900-2015)

Ämnesområden

Nanoteknik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Transport Properties of Nanostructured SrTiO3/LaAlO3 Interface