CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal constraints for heterostructure barrier varactors

Mattias Ingvarson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Byron Alderman ; Arne Øistein Olsen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 25 (2004), 11, p. 713-715.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Current research on heterostructure barrier varactors (HBVs) devotes much effort to the generation of very high power levels in the millimeter wave region. One way of increasing the power handling capacity of HBVs is to stack several barriers epitaxially. However, the small device dimensions lead to very high temperatures in the active layers, deteriorating the performance. We have derived analytical expressions and combined those with finite element simulations, and used the results to predict the maximum effective number of barriers for HBVs. The thermal model is also used to compare the peak temperature and power handling capacity of GaAs and InP-based HBVs. It is argued that InP-based devices may be inappropriate for high-power applications due to the poor thermal conductivity of the InGaAs modulation layers.

Nyckelord: frequency multiplier, heterostructure barrier varactor (HBV), semiconductor device thermal factors



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 2230

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)