CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

30 GHz bandwidth 850 nm VCSEL with sub-100 fJ/bit energy dissipation at 25-50 Gbit/s

Erik Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Petter Westbergh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Emanuel P. Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; M. Geen ; A. Joel
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 51 (2015), 14, p. 1096-1097.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A high-speed and energy-efficient oxide-confined 850 nm vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) for optical interconnects is presented. A record-high modulation bandwidth of 30 GHz is reached for a 3.5 mu m oxide aperture VCSEL, with 25 GHz bandwidth already at a bias current of 1.8 mA. The high bandwidth at low currents enables energy-efficient transmission with a dissipated heat energy in the VCSEL of <100 fJ/bit at 25, 40 and 50 Gbit/s.

Nyckelord: surface emitting lasers, laser cavity resonators, optical interconnections, optical modulation



Denna post skapades 2015-07-24. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 219953

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)