CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiNx Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Tongde Huang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Johan Bergsten (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sebastian Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Olle Axelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 36 (2015), 6, p. 537-539.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A bilayer SiNx passivation scheme has been developed using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), which effectively suppresses the dispersive effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) for microwave power operation. The bilayer LPCVD passivation is compared with in-situ SiNx passivations by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and ex-situ SiNx passivations by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The HEMTs were fabricated and characterized in terms of pulsed IV, transient drain current, and load pull. The devices passivated with in-situ MOCVD SiNx or PECVD SiNx exhibit significant current slump (similar to 40%) and knee-voltage walkout, while the bilayer LPCVD SiNx passivated device shows negligible current slump (similar to 6%) and knee-voltage walkout. These characteristics are directly reflected in the large signal operation, where HEMTs with bilayer LPCVD SiNx have the lowest dynamic ON-state resistance and highest output power (5.4 W/mm at 3 GHz).

Nyckelord: AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, current collapse, passivation, trapping



Denna post skapades 2015-06-29. Senast ändrad 2016-12-20.
CPL Pubid: 219028

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur