CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High gain graphene field effect transistors for wideband amplifiers

Omid Habibpour (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Michael Winters (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
44th European Microwave Conference, EuMC 2014 - Held as Part of the 17th European Microwave Week, EuMW 2014; Fiera di RomaRome; Italy; 6 October 2014 through 9 October 2014 p. 371-373. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We demonstrate graphene field of transistors (G-FETs) providing power gain of > 7 dB in a 50 O system. The G-FETs have S21 > 0 dB up to 7 GHz. The result indicates the feasibility for G-FET based wideband amplifiers.

Nyckelord: Graphene FET , hydrogen intercalated graphene , power gain , wideband amplifiers



Denna post skapades 2015-06-15. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 218365

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)