CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Vertically stacked carbon nanotube-based interconnects for through silicon via application

Di Jiang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Wei Mu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Si Chen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Yifeng Fu ; Kjell Jeppson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Johan Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 36 (2015), 5, p. 499-501.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Stacking of silicon chips with carbon nanotube (CNT)-based through-silicon vias (TSVs) is experimentally demonstrated. Polymer filling is used to improve the transfer quality of CNTs into pre-etched silicon holes. Special hexagonal CNTs are designed to achieve high aspect ratio (10:1) CNT vias. TSVs filled with closely packed CNTs show a highly linear dc I - V response. The proposed process works at room temperature, which makes it compatible with existing device fabrication flow.

Nyckelord: 3D stacking, Carbon nanotube (CNT), densification, interconnect, through-silicon via (TSV) , transfer



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2015-05-11. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 216925

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem (2007-2015)

Ämnesområden

Nanovetenskap och nanoteknik
Produktion
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik

Chalmers infrastruktur

NFL/Myfab (Nanofabrication Laboratory)

 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


Carbon Based Smart Systems for Wireless Applications (NANO RF) (EC/FP7/318352)