CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A packaged 86 W GaN transmitter with SiC varactor-based dynamic load modulation

Christer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mustafa Özen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; David Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; K. Yamanaka ; E. Kuwata ; H. Otsuka ; M. Nakayama ; Y. Hirano ; Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
43rd European Microwave Conference, EuMC 2013 - Held as Part of the 16th European Microwave Week, EuMW 2013, Nuremberg, Germany, 7-10 October 2013 p. 283-286. (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Output power scaling based on class-J dynamic load modulation (DLM) theory is used to design an unprecedentedly high power microwave transmitter with varactor-based DLM functionality. Matching networks are realized on high dielectric constant substrates in order to reduce the form factor. The fully matched DLM PA incorporates a 24-mm GaN HEMT powerbar and a stack of four SiC varactors, all fit into a CuW package (40 mm × 20 mm). Peak output power is reconfigurable by changing the drain voltage, while retaining the DLMeffect. Under pulsed conditions at 40 V the PA delivers a peak power of 86 W at 2.14 GHz. Efficiency enhancement by DLM is 10-15 percentage-units at 6 dB output power back-off (OPBO). Employing digital predistortion (DPD) with a vector switched generalized memory polynomial (VS-GMP) the ACLR is -46 dBc at an average output power of 17 W and a drain efficiency of 34%. These results prove the potential for high output power levels in varactor-based DLM transmitters.

Nyckelord: Gallium nitride, high efficiency, power amplifiers, silicon carbide, varactors



Denna post skapades 2015-05-07. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 216750

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur