CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

InP DHBT wideband amplifiers with up to 235 GHz bandwidth

Klas Eriksson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; I.Z. Darwazeh ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2014 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2014; Tampa, FL; United States; 1 June 2014 through 6 June 2014 (0149-645X). p. Art. no. 6848436. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Two wideband amplifier MMICs are designed and tested. Both designs employ InP double-heterojunction bipolar transistor technology. The amplifiers are designed using cascode cells, in a distributed amplifier topology, with simple on-chip resistive bias circuitry. A single stage design achieves 7.5 dB gain and 192 GHz bandwidth and a 2-cascaded distributed amplifier achieves gain in excess of 16 dB and with bandwidth exceeding 235 GHz, thus being the widest band amplifiers reported to date.

Nyckelord: CSSDA , DHBT , distributed amplifiers , InP , Wideband amplifiers

Denna post skapades 2015-05-07. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 216699


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur