CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Strain induced ferroelectrosity in epitaxial SrTiO3 films

Spartak Gevorgian (Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap) ; Peter Petrov ; Saeed Abadei (Institutionen för mikroelektronik) ; Zdravko Ivanov (Institutionen för fysik)
Integrated Ferroelectrics (1058-4587). Vol. 33 (2001), 1-4, p. 311-321.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Microwave performances of planar capacitors formed on epitaxial SrTiO 3 (STO) films reveal that two-dimensional, in-plane strain in the film lead to a formation of a stable non-cubic, low symmetry ferroelectric phase. The residual polarization vector has two stable states, normal to the film surface, and may be switched under applied DC bias. Due to the charges in surface/interface levels, the films may contain either a single or opposing domains

Nyckelord: Strontium Titanate, thin film, strain, interface, phase transition

Denna post skapades 2015-02-10.
CPL Pubid: 212363


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)
Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)
Institutionen för fysik (1900-2003)


Den kondenserade materiens fysik

Chalmers infrastruktur