CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Low Schottky Barrier Black Phosphorus Field-Effect Devices with Ferromagnetic Tunnel Contacts

Venkata Kamalakar Mutta (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; B. N. Madhushankar (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; André Dankert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Saroj Prasad Dash (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Small (1613-6810). Vol. 11 (2015), 18, p. 2209-2216.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Black phosphorus (BP) has been recently unveiled as a promising 2D direct bandgap semiconducting material. Here, ambipolar field-effect transistor behavior of nanolayers of BP with ferromagnetic tunnel contacts is reported. Using TiO2/Co contacts, a reduced Schottky barrier <50 meV, which can be tuned further by the gate voltage, is obtained. Eminently, a good transistor performance is achieved in the devices discussed here, with drain current modulation of four to six orders of magnitude and a mobility of μh ≈ 155 cm2 V−1 s−1 for hole conduction at room temperature. Magnetoresistance calculations using a spin diffusion model reveal that the source–drain contact resistances in the BP device can be tuned by gate voltage to an optimal range for injection and detection of spin-polarized holes. The results of the study demonstrate the prospect of BP nanolayers for efficient nanoelectronic and spintronic devices.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2015-01-14. Senast ändrad 2016-08-22.
CPL Pubid: 210721


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)