CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Symmetrical modeling of GaN HEMTS

Ankur Prasad (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; C.M. Andersson ; K. Yhland
Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC (1550-8781). (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper presents a symmetrical small signal model for GaN HEMTs valid for both positive and negative Vds. The model takes advantage of the intrinsic symmetry of the devices typically used for switches. The parameters of the model are extracted using a new symmetrical optimization based extraction method, optimizing simultaneously for both positive and negative drain-source bias points. This ensures a symmetrical small signal model with lower modeling error. The small signal model can be further used to simplify the development of a large-signal model. The small signal model is validated with measured S- parameters of a commercial GaN HEMT.

Nyckelord: Gallium Nitride, HEMTs, Modeling, Parameters extraction, Semiconductor device modeling



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2015-01-14. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 210713

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)