CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An InP MMIC process optimized for low noise at Cryo

Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joel Schleeh ; Niklas Wadefalk ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC (1550-8781). (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

An InP MMIC process was developed and optimized for ultra-low noise amplifiers (LNAs) operating at cryogenic temperature. The amplifiers from the process are working up to 100 GHz. The processed wafers are 4" and can carry more than 4000 3-stage units. For a significant number of 6-20 GHz 3-stage LNAs we have measured an average noise temperature of 5.8 K at ambient temperature of 10 K, state of the art in this frequency range, and 66.3 K at 300K. Associated gain was 35.9 dB (10K) and 33.2 dB (300 K). The standard deviation at room temperature for 47 LNAs was 1.5 K for the noise and 0.3 dB for the gain.

Nyckelord: Cryogenic, InP HEMT, Low noise amplifier (LNA), MMIC



Denna post skapades 2015-01-14. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 210679

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)