CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

SIS Tunnel Junction’s Specific Capacitance Direct Measurement

Parisa Yadranjee Aghdam (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Hawal Rashid (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Vincent Desmaris (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Alexey Pavolotsky (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Victor Belitsky (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling)
25th International Sympsoium on Space Terahertz Technology, ISSTT 2014; Moscow; Russian Federation; 27 April 2014 through 30 April 2014 p. 109-110. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The need for operating frequencies well into THz region with higher sensitivity and wider bandwidth pushes superconductor-insulator-superconductor (SIS) technology towards junctions with more transparent barrier and higher current densities. Obtaining accurate knowledge of the specific capacitance, which is related to the transparency of the junctions, leads to a precise design of the tuning circuitry. Previously, characterization of the SIS junction’s specific capacitance involved complex measurements providing data relying on various model fitting. Herein, we present the characterization of the specific capacitance by directly measuring the impedance of the SIS tunnel junction at microwave frequencies (~3 GHz).

Nyckelord: SIS junction, S-parameter measurements, specific capacitance.



Denna post skapades 2015-01-09. Senast ändrad 2015-11-13.
CPL Pubid: 210371

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2010-2017)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Onsala rymdobservatorium