CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A 474 GHz HBV Frequency Quintupler Integrated on a 20µm Thick Silicon Substrate

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology (2156-342X ). Vol. 5 (2015), 1, p. 85-91.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present a silicon integrated Heterostructure Barrier Varactor (HBV) frequency quintupler (x5) operating between 440 GHz and 490 GHz. By epitaxial transfer of InP-based HBV material structure onto silicon-on-insulator (SOI), a uniform and accurate thickness (20 µm) of the frequency quintupler chip is achieved. In a single stage this device delivers 2.8 mW of output power at 474 GHz, when pumped with 400 mW at 94.75 GHz, corresponding to conversion efficiency of 0.75%. The present device exhibits a 3-dB bandwidth of 4%.

Nyckelord: Compound semiconductors, THz sources, epitaxial transfer, frequency multipliers, heterostructure barrier varactors, monolithic integrated circuits, submillimeter wave diodes, submillimetre waves, wafer bonding



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-12-30. Senast ändrad 2015-02-23.
CPL Pubid: 209213

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)