CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Optimum Barrier Thickness Study for the Heterostructure Barrier Varactror Diode

T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi)
WOCSDICE 2006 (1652-0769). p. 55-57. (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes, to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the conduction current is investigated for different biases and device temperatures. We found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.

Nyckelord: HBV, Frequency multipliers, Heterostructure barrier varactor


May 14-17, 2006, Fiskebäckskil, Sweden.



Denna post skapades 2007-03-08. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 20631

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)