CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Tuning carrier density across Dirac point in epitaxial graphene on SiC by corona discharge

Arseniy Lartsev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Thomas Yager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; T. Bergsten ; A. Tzalenchuk ; Tjbm Janssen ; R. Yakimova ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 105 (2014), 6,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We demonstrate reversible carrier density control across the Dirac point (Delta n similar to 10(13) cm(-2)) in epitaxial graphene on SiC (SiC/G) via high electrostatic potential gating with ions produced by corona discharge. The method is attractive for applications where graphene with a fixed carrier density is needed, such as quantum metrology, and more generally as a simple method of gating 2DEGs formed at semiconductor interfaces and in topological insulators.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-11-10. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 205490

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Nanovetenskap och nanoteknik
Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Quantum Hall devices on epitaxial graphene: towards large-scale integration


 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond (GRAPHENE) (EC/FP7/604391)