CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of Buffer Quality on the Performance of InAs/AlSb Heterostructure Backward Tunneling Diode

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Parisa Yadranjee Aghdam (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
39th Int. Conf. on Infrared, Millimeter, and THz Waves (2162-2027). p. Art. no. 6956521. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

InAs/AlSb Heterostructure Backward Tunneling Diodes (HBTDs) were grown on semi-insulating GaAs (100) substrate using molecular beam epitaxy (MBE). The current-voltage characteristics of the InAs/AlSb HBTDs, both at room temperatures (RT) and cryogenic temperatures, have been studied as a function of the InAs buffer thickness. It has been found that a thicker InAs buffer doesn’t improve the surface roughness but decreases the threading dislocation (TD) density, thus a higher curvature coefficient in the current-voltage characteristics near zero-bias is obtained.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-09-30. Senast ändrad 2016-05-23.
CPL Pubid: 203529

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)