CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

20 μm gate width CVD graphene FETs for 0.6 THz detection

Audrey Zak (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Michael Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Maris Bauer ; Alvydas Lisauskas ; Hartmut Roskos ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
39th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2014, Tucson, United States, 14-19 September 2014 (2162-2027). p. Art. no. 6956250. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We have fabricated 20 μm gate width graphene field effect transistors (GFETs) based on graphene grown by chemical vapor deposition (CVD). These GFETs are integrated with split bow-tie antennae for room temperature, direct detection of a 0.6 THz signal. Our detectors reach a maximum optical responsivity of 3.0 V/W and a minimum noise-equivalent power (NEP) of 700 pW/Hz^0.5. The successful demonstration of THz detection using CVD graphene introduces the possibility for scalable detector production.

Nyckelord: Graphene field effect transistors, direct terahertz detection, CVD graphene, antenna-integrated detectors



Denna post skapades 2014-09-22. Senast ändrad 2016-05-23.
CPL Pubid: 203132

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)