CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Quantum Hall Effect and Quantum Point Contact in Bilayer-Patched Epitaxial Graphene

C. Chua ; M. Connolly ; Arseniy Lartsev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Thomas Yager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; S. Kopylov ; V. Fal'ko ; R. Yakimova ; R. Pearce ; Tjbm Janssen ; A. Tzaenchuk ; C. G. Smith
Nano Letters (1530-6984). Vol. 14 (2014), 6, p. 3369-3373.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We study an epitaxial graphene monolayer with bilayer inclusions via magnetotransport measurements and scanning gate microscopy at low temperatures. We find that bilayer inclusions can be metallic or insulating depending on the initial and gated carrier density. The metallic bilayers act as equipotential shorts for edge currents, while closely spaced insulating bilayers guide the flow of electrons in the monolayer constriction, which was locally gated using a scanning gate probe.

Nyckelord: SiC epitaxial graphene, quantum hall effect, scanning gate microscopy, monolayer and bilayer graphene; resistance metrology; quantum point contact



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-07-10. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 200387

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Nanovetenskap och nanoteknik
Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Quantum Hall devices on epitaxial graphene: towards large-scale integration