CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Heterostructure integrated HBV-based frequency quintupler for 500 GHz

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
38th Workshops on Compound Semiconductors Devices and Integrated Circuits p. 11 - 12. (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present a heterogeneous integrated frequency quintupler based on heterostructure barrier varactor (HBV) operating in the frequency range from 440 GHz to 490 GHz. The HBV material structure was transferred onto silicon on insulator (SOI) using low temperature plasma activated wafer bonding. The top layer of the SOI has a high resistivity (10,000 Ωcm) and is 20 μm thick. Thus, not only minimized substrate losses, but also an accurate and uniform thickness of the quintupler chip is obtained. The maximum output power for this device is 6 mW at 472.5 GHz.



Denna post skapades 2014-07-07. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 200260