CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Phase transition of bismuth telluride thin films grown by MBE

Attila Fülöp (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Sophie Charpentier (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Peixiong Shi ; Maria Ekström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Luca Galletti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Riccardo Arpaia (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Applied Physics Express (1882-0778 ). Vol. 7 (2014), 4, p. Art. no. 045503.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A previously unreported phase transition between Bi2Te3 and Bi4Te3 in bismuth telluride grown by molecular beam epitaxy is recorded via XRD, AFM, and SIMS observations. This transition is found to be related to the Te/Bi beam equivalent pressure (BEP) ratio. BEP ratios below 17 favor the formation of Bi4Te3 while Bi2Te3 is formed at higher ratios. Transport measurements reveal that Bi2Te3 has higher electron mobility than Bi4Te3.


Article Number: 045503



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-06-03. Senast ändrad 2016-09-14.
CPL Pubid: 198790

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)