CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of buffer design on structural and electrical properties of InAs films grown on GaAs substrates

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Likun Aai ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
the 41st international symposium on compound semiconductors, Montepillier, France (2014)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Different buffer structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE) to accommodate the large lattice mismatch of InAs with GaAs substrate. A novel graded digital superlattice (GDSL) buffer design was proposed and compared with the common one-step buffer and linear alloy graded (LAG) buffer designs. Effect of buffer structures on structural and electrical properties of the InAs films was investigated. High quality InAs films were obtained on GaAs substrates.

Nyckelord: MBE, superlatice, InAs films

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-05-16.
CPL Pubid: 198177