CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Low Phase Noise GaN HEMT Oscillators With Excellent Figures of Merit

Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mustafa Özen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mikael Hörberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Microwave and Wireless Components Letters (1531-1309). Vol. 24 (2014), 6, p. 412-414.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

This letter presents guidelines for the design of low phase noise oscillators in GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology. The design starts from bias-dependent low-frequency (LF) noise measurements. Oscillator topology and bias point are then chosen for operation in regions where LF noise is low. The best LF noise properties are obtained for low drain voltage and current. Thus, the low phase noise can be achieved at low dc power which also means that power normalized phase noise figure of merit (FOM) will be good.

Nyckelord: GaN HEMT; low frequency noise; MMIC; negative resistance; oscillator; phase noise



Denna post skapades 2014-04-14. Senast ändrad 2016-06-30.
CPL Pubid: 196720

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)