CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effects of nonuniform Mn distribution in (Ga,Mn)As

I. Ulfat ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; K. Karlsson ; A. Ernst ; L. Sandratskii
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics (1098-0121). Vol. 89 (2014), 4, p. art no 045312.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Resonant in situ photoemission from Mn 3d states in Ga1-xMnxAs is reported for Mn concentrations down to the very dilute level of 0.1%. Concentration-dependent spectral features are analyzed on the basis of first-principles calculations for systems with selected impurity positions as well as for random alloys. Effects of direct Mn-Mn interaction are found for concentrations as low as 2.5%, and are ascribed to statistical (nonuniform) distribution of Mn atoms.

Denna post skapades 2014-04-10. Senast ändrad 2015-01-21.
CPL Pubid: 196557


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)


Atom- och molekylfysik och optik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As