CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Express Optical Analysis of Epitaxial Graphene on SiC: Impact of Morphology on Quantum Transport

Thomas Yager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Arseniy Lartsev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sumedh Mahashabde (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sophie Charpentier (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Dejan Davidovikj (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Andrey Danilov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; R. Yakimova ; V. Panchal ; O. Kazakova ; A. Tzalenchuk ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Nano Letters (1530-6984). Vol. 13 (2013), 9, p. 4217-4223.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We show that inspection with an optical microscope allows surprisingly simple and accurate identification of single and multilayer graphene domains in epitaxial graphene on silicon carbide (SiC/G) and is informative about nanoscopic details of the SiC topography, making it ideal for rapid and noninvasive quality control of as-grown SiC/G. As an illustration of the power of the method, we apply it to demonstrate the correlations between graphene morphology and its electronic properties by quantum magneto-transport.

Nyckelord: Epitaxial graphene, optical microscopy, electron transport, graphene characterization, graphene, LAYER GRAPHENE, SINGLE-LAYER, TRANSISTORS, PHASE, SIO2, REIBL N, 1984, OPTICS COMMUNICATIONS, V49, P6



Denna post skapades 2014-03-13. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 194959

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)