CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design and Characterization of H-Band (220-325 GHz) Amplifiers in a 250-nm InP DHBT Technology

Klas Eriksson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sten E. Gunnarsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Vessen Vassilev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Ieee Transactions on Terahertz Science and Technology (2156-342X). Vol. 4 (2014), 1, p. 56-64.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Design and characterization of InP DHBT amplifiers in common-emitter and common-base topologies are presented. Both one-stage and multistage circuits are demonstrated. For one of the amplifiers, a peak gain of 24 dB at 255 GHz is measured, which is among the highest reported gains for HBT amplifiers above 200 GHz, and more than 10 dB gain at 210-315 GHz. The noise figure of this amplifier is measured on-wafer at 240-295 GHz, and it demonstrates a minimum noise figure of 10.4 dB at 265 GHz, which is the lowest reported noise figure for HBT amplifiers above 200 GHz.

Nyckelord: Double heterojunction bipolar transistor (DHBT), H-band, indium phosphide (InP), millimeter-wave amplifier, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), LOW-NOISE AMPLIFIER, SUBMILLIMETER-WAVE, RECEIVER



Denna post skapades 2014-02-27. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 194213

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur