CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Reststrahl band-assisted photocurrents in epitaxial graphene layers

P. Olbrich ; C. Drexler ; L. E. Golub ; S. N. Danilov ; V. A. Shalygin ; R. Yakimova ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; B. Redlich ; R. Huber ; S. D. Ganichev
Physical Review B (1098-0121). Vol. 88 (2013), 24, p. 7.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We report on the observation of the reststrahl band-assisted photocurrents in epitaxial graphene on SiC excited by infrared radiation. The peculiar spectral dependence for frequencies lying within the reststrahl band of the SiC substrate provides a direct and noninvasive way to probe the electric field magnitude at atomic distances from the material's surface. Furthermore our results reveal that nonlinear optical and optoelectronic phenomena in two-dimensional crystals and other atomic scale structures can be giantly enhanced by their deposition on a substrate with negative dielectric constant.

Nyckelord: TUNNELING IONIZATION, PLASMONS, GENERATION, DETECTORS, FILMS, MIXER



Denna post skapades 2014-01-17. Senast ändrad 2015-10-22.
CPL Pubid: 192767

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur