CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An LC VCO for High Power Millimeter-Wave Signal Generation

Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Rumen Kozhuharov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Bertil Hansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
35th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2013, Monterey, United States, 13-16 October 2013 (1550-8781). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The paper presents a G band second harmonic VCO in 0.25um InP DHBT technology. The VCO uses a cross-coupled topology with a capacitive emitter degeneration and a second order tank to peak second harmonic signal. The VCO presents a tuning range from 169-176GHz and delivers a peak power of -2.7dBm, biased at Vc=4V and Ic=46mA. To the best of authors' knowledge, this is the first HBT cross-coupled VCO designed above 100 GHz.



Denna post skapades 2014-01-16. Senast ändrad 2016-08-30.
CPL Pubid: 192632

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)