CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

MBE growth of Bi2Te3 for Thermoelectrics

Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Charpentier S ; Attila Fülöp (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Maria Ekström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Galletti L ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Asia Communications and Photonics Conference, ACP 2013, Beijing, China, 12-15 November 2013 (2162-108X). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Molecular beam epitaxy of Bi2Te3 on various substrates for thermoelectric applications is investigated. Growth conditions were optimized based on Si(111) substrates with two different growth techniques, co-deposition followed by crystallization and direct growth. Growth of Bi 2Te3 on GaAs, GaN, et. al. substrates with different crystal directions and offcut angles were investigated. High quality Bi2Te3 thin films were achieved with very low carrier density and record high carrier mobility.



Denna post skapades 2014-01-15. Senast ändrad 2016-10-26.
CPL Pubid: 192493