CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Microwave noise characterization of graphene field effect transistors

Mehbuba Tanzid (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Michael Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jie Sun (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 104 (2014), 1, p. 013502.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The microwave noise parameters of graphene field effect transistors (GFETs) fabricated using chemical vapor deposition graphene with 1  μm gate length in the 2 to 8 GHz range are reported. The obtained minimum noise temperature (Tmin) is 210 to 610 K for the extrinsic device and 100 to 500 K for the intrinsic GFET after de-embedding the parasitic noise contribution. The GFET noise properties are discussed in relation to FET noise models and the channel carrier transport. Comparison shows that GFETs can reach similar noise levels as contemporary Si CMOS technology provided a successful gate length scaling is performed.

Nyckelord: Graphene FET, noise temperature, noise modeling, microwave noise



Denna post skapades 2014-01-07. Senast ändrad 2016-04-28.
CPL Pubid: 191368

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)