CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High Performance Molybdenum Disulfide Field Effect Transistors with Spin Tunnel Contacts

André Dankert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Lennart Langouche (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Venkata Kamalakar Mutta (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Saroj Prasad Dash (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
ACS Nano (1936-0851). Vol. 8 (2014), 1, p. 476-482.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Molybdenum disulfide has recently emerged as a promising two-dimensional semiconducting material for nanoelectronic, optoelectronic, and spintronic applications. Here, we investigate the field-effect transistor behavior of MoS2 with ferromagnetic contacts to explore its potential for spintronics. In such devices, we elucidate that the presence of a large Schottky barrier resistance at the MoS2/ferromagnet interface is a major obstacle for the electrical spin injection and detection. We circumvent this problem by a reduction in the Schottky barrier height with the introduction of a thin TiO2 tunnel barrier between the ferromagnet and MoS 2. This results in an enhancement of the transistor on-state current by 2 orders of magnitude and an increment in the field-effect mobility by a factor of 6. Our magnetoresistance calculation reveals that such integration of ferromagnetic tunnel contacts opens up the possibilities for MoS 2-based spintronic devices.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2014-01-02. Senast ändrad 2017-10-03.
CPL Pubid: 190919


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)