CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal properties of charge noise sources

Martin V. Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Arsalan Pourkabirian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Göran Johansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Tillämpad kvantfysik) ; John Clarke (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Per Delsing (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics (1098-0121). Vol. 88 (2013), 24, p. Art. no. 245410.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Measurements of the temperature and bias dependence of single-electron transistors (SETs) in a dilution refrigerator show that charge noise increases linearly with refrigerator temperature above a voltage-dependent threshold temperature, and that its low-temperature saturation is due to SET self-heating. We show further that the two-level fluctuators responsible for charge noise are in strong thermal contact with the electrons in the SET, which can be at a much higher temperature than the substrate. We suggest that the noise is caused by electrons tunneling between the SET metal and nearby potential wells.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-12-30. Senast ändrad 2016-10-26.
CPL Pubid: 190733


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)