CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal creation of electron spin polarization in n-type silicon

André Dankert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Saroj Prasad Dash (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 103 (2013), 24, p. article nr. 242405.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Conversion of heat into a spin-current in electron doped silicon can offer a promising path for spin-caloritronics. Here, we create an electron spin polarization in the conduction band of n-type silicon by producing a temperature gradient across a ferromagnetic tunnel contact. The substrate heating experiments induce a large spin signal of 95 μV, corresponding to 0.54 meV spin-splitting in the conduction band of n-type silicon by Seebeck spin tunneling mechanism. The thermal origin of the spin injection has been confirmed by the quadratic scaling of the spin signal with the Joule heating current and linear dependence with the heating power.

Nyckelord: INJECTION; SPINTRONICS, ACCUMULATION, FERROMAGNET, CONTACTS



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-12-27. Senast ändrad 2014-01-30.
CPL Pubid: 190527

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)