CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Initial growth of GaN on sapphire and growth of AlGaN on GaN by molecular beam epitaxy

Stefan Davidsson (Institutionen för mikrovågselektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 2002. - x, 97 s. s.
[Licentiatavhandling]

Nyckelord: III-nitride, GaN, AlN, AlGaN, epitexial growth, molecular beam epitaxy, MBE, two dimensional electron gas, 2DEG, heterostructure field effect transistor, HFET



Denna post skapades 2013-12-19.
CPL Pubid: 190053

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikrovågselektronik (1900-2003)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Technical report L - School of Electrical Engineering, Chalmers University of Technology. 452