CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic DC Characterization of InAs/Al80Ga20Sb Self-Switching Diodes

Andreas Westlund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; L. Desplanque ; X. Wallart
2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

DC characterization of an InAs/Al80Ga20Sb self-switching diode for THz detection is presented at 300 K and 6 K. Compared to 300 K, an enhancement of the diode I-V nonlinearity and associated responsivity was observed under zero-bias conditions at 6 K. The intrinsic responsivity was estimated to 490 V/W at 300 K and 4400 V/W at 6 K.

Nyckelord: InAs, THz, detector, diode, self-switching, SSD



Denna post skapades 2013-12-17.
CPL Pubid: 189539

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur