CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic Ultra-Low Noise Amplification - InP PHEMT vs. GaAs MHEMT

Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present a comparative study of 130 nm high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on pseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP (InP PHEMT) and InGaAs/InAlAs/GaAs (GaAs MHEMT) intended for ultra-low noise amplifiers (LNAs). The epitaxial growth, as well as the HEMT process, was performed simultaneously. When integrated in a 4-8 GHz 3-stage LNA at 300 K, the measured average noise temperature was 34 K for the GaAs MHEMT and 27 K for the InP PHEMT. When cooled down to 10 K, the InP PHEMT LNA was improved to 1.6 K, while the GaAs MHEMT LNA was only reduced to 5 K. The reason for the superior cryogenic noise performance of the InP PHEMT compared to the GaAs MHEMT in this study, was found to be a higher quality of pinch-off when cooled down.

Nyckelord: Cryogenic, GaAs MHEMT, InP PHEMT, low noise, TEMPERATURE



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-12-17. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 189537

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)