CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of gate-channel distance in low-noise InP HEMTs

Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (1092-8669). (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The effect on the electrical properties, relevant to noise, from the gate-channel distance (barrier layer thickness) in 130 nm gate-length InP HEMTs was investigated. An increased quality of pinch-off was seen in HEMTs with an 8 nm barrier layer thickness compared to an 11 nm barrier. For the 8 nm barrier material the gate leakage increased from 1 mu A/mm to 7 mu A/mm at -1 V gate bias.

Nyckelord: InP HEMT, LNA, noise



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-12-17. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 189533

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)