CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Wafer bondig for integrated III-V frequency multipliers on silicon

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
Conference on Wafer Bonding for Microsystems 3D- and Wafer Level Integration p. 75 - 76. (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper low temperature (LT) plasma assisted wafer bonding for integration of an InGaAs/InAlAs/AlAs epitaxial strucutre is utilised to fabricate a heterostrucutre barrier varactor (HBV). Due to its nonlinear properties the HBV generates only odd harmonics of the input signal, thus the device can be used as a frequency multiplier. The silicon serves as the substrate for the microstrip circuitry.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2013-12-17. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 189525