CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Ultrathin gate oxides for future SiGe CMOS devices

Alok Sareen (Institutionen för mikroelektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 2001. - v, 35 s. s.

Nyckelord: ultrathin, gate oxide, SiGe, valence band offset, C-V

Denna post skapades 2013-12-05.
CPL Pubid: 188486


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)



Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Technical report L - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology. 417