CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Charge carrier dynamics at the SiO2/SiC interface

Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroelektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 1998. ISBN: 91-7197-733-3.- 46 s.
[Licentiatavhandling]

Nyckelord: oxidation of SiC, interface quality, high frequency C-V measurement, SiO2/SiC metal oxide semiconductor (MOS), thermal non-equilibrium, capacitance simulations



Denna post skapades 2013-11-14.
CPL Pubid: 186702

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Technical report L - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology. 298