CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Terahertz detection in zero-bias InAs self-switching diodes at room temperature

Andreas Westlund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; P. Sangare ; G. Ducournau ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; C. Gaquiere ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 103 (2013), 13,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

RF characterization of InAs self-switching diodes (SSDs) is reported. On-wafer measurements revealed no roll-off in responsivity in the range of 2-315 GHz. At 50 GHz, a responsivity of 17 V/W and a noise-equivalent power (NEP) of 150 pW/Hz(1/2) was observed for the SSD when driven by a 50 Omega source. With a conjugately matched source, a responsivity of 34 V/W and an NEP of 65 pW/Hz(1/2) were estimated. An antenna-coupled SSD demonstrated a responsivity of 0.7 V/W at 600 GHz. The results demonstrate the feasibility of zero-bias terahertz detection with high-electron mobility InAs SSDs up to and beyond 100 GHz.


Article number 133504



Denna post skapades 2013-11-04. Senast ändrad 2016-06-28.
CPL Pubid: 186046

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Self-Switching Diodes for Zero-Bias Terahertz Detection


 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


Semiconductor nanodevices for room temperature THz emission and detection (ROOTHZ) (EC/FP7/243845)