CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Terahertz detection in zero-bias InAs self-switching diodes at room temperature

Andreas Westlund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; P. Sangare ; G. Ducournau ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; C. Gaquiere ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 103 (2013), 13,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

RF characterization of InAs self-switching diodes (SSDs) is reported. On-wafer measurements revealed no roll-off in responsivity in the range of 2-315 GHz. At 50 GHz, a responsivity of 17 V/W and a noise-equivalent power (NEP) of 150 pW/Hz(1/2) was observed for the SSD when driven by a 50 Omega source. With a conjugately matched source, a responsivity of 34 V/W and an NEP of 65 pW/Hz(1/2) were estimated. An antenna-coupled SSD demonstrated a responsivity of 0.7 V/W at 600 GHz. The results demonstrate the feasibility of zero-bias terahertz detection with high-electron mobility InAs SSDs up to and beyond 100 GHz.

Article number 133504

Denna post skapades 2013-11-04. Senast ändrad 2016-06-28.
CPL Pubid: 186046


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik



Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Self-Switching Diodes for Zero-Bias Terahertz Detection



Denna publikation är ett resultat av följande projekt:

Semiconductor nanodevices for room temperature THz emission and detection (ROOTHZ) (EC/FP7/243845)