CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Phase Space for the Breakdown of the Quantum Hall Effect in Epitaxial Graphene

J. A. Alexander-Webber ; A. M. R. Baker ; Tjbm Janssen ; A. Tzalenchuk ; Samuel Lara-Avila (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Sergey Kubatkin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; R. Yakimova ; B. A. Piot ; D. K. Maude ; R. J. Nicholas
Physical Review Letters (0031-9007). Vol. 111 (2013), 9,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We report the phase space defined by the quantum Hall effect breakdown in polymer gated epitaxial graphene on SiC (SiC/G) as a function of temperature, current, carrier density, and magnetic fields up to 30 T. At 2 K, breakdown currents (I-c) almost 2 orders of magnitude greater than in GaAs devices are observed. The phase boundary of the dissipationless state (rho(xx) = 0) shows a [1 - (T/T-c)(2)] dependence and persists up to T-c > 45 K at 29 T. With magnetic field Ic was found to increase alpha B-3/2 and T-c alpha B-2. As the Fermi energy approaches the Dirac point, the nu = 2 quantized Hall plateau appears continuously from fields as low as 1 T up to at least 19 T due to a strong magnetic field dependence of the carrier density.



Denna post skapades 2013-09-23. Senast ändrad 2015-10-22.
CPL Pubid: 183823

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene (CONCEPTGRAPHENE) (EC/FP7/257829)