CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal Analysis of III-V HBV Diode Structures on InP, GaAs, Silicon and Diamond Substrates

Aleksandra Malko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves p. 1-2. (2013)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Thermal analysis of In0.53Ga0.47As and GaAs Heterostructure Barrier Varactors diodes on InP, GaAs, silicon and diamond substrates are presented. The physical dimensions of the analysed structures correspond to the dimensions of a high power integrated HBV frequency multipliers for W-band (70 – 110 GHz). It is shown that material transfer to substrates with higher thermal conductivity will reduce thermal resistance by 21 % and approximately 50 % for In0.53Ga0.47As and GaAs HBVs, respectively. Thus, an enhanced thermal handling capability of the HBV multiplier sources can be obtained.



Denna post skapades 2013-09-16. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 183432

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)