CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Molecular beam epitaxy growth of InSb1-xBix thin films

Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Ivy Saha Roy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; P. X. Shi ; A. Hallen ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Journal of Crystal Growth (0022-0248). Vol. 378 (2013), p. 323-328.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Molecular beam epitaxy growth for InSb1-xBix thin films on (100) GaAs substrates is reported. Successful Bi incorporation for 2% is achieved, and up to 70% of the incorporated Bi atoms are at substitutional sites. The effects of growth parameters on Bi incorporation and surface morphology are studied. Strong In and Ga inter-diffusion induced by Bi incorporation is observed and discussed.

Nyckelord: Molecular beam epitaxy, Bismuth compounds, Semiconducting III-V materials, Semiconducting ternar compounds



Denna post skapades 2013-09-16.
CPL Pubid: 183431

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Atom- och molekylfysik och optik

Chalmers infrastruktur