CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Properties of buried silicon dioxide layers

Per Ericsson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 1995. ISBN: 91-7197-123-8.- 24 s. s.
[Licentiatavhandling]

Nyckelord: silicon on insulator, SOI, separation by imlanted oxygen, SIMOX, bond and etchback SOI, BESOI, radiation damage, charge tripping, charge injection, thermal stress



Denna post skapades 2013-09-12.
CPL Pubid: 183186

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Ingår i serie

Technical report L - School of Electrical and Computer Engineering, Chalmers University of Technology. 199